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dc.contributor.authorMADANI, Nassima-
dc.date.accessioned2012-06-07T15:10:20Z-
dc.date.available2012-06-07T15:10:20Z-
dc.date.issued2010-01-11-
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/992-
dc.description.abstractGrâce à leurs propriétés physiques remarquables, les semi-conducteurs ne cessent de faire progresser l'industrie éléctrique. En particulier, la découverte des semi-conducteurs III-V a permis une nouvelle alternative pour l'électronique moderne. C'est en fait la nature directe du gap d'énergie de la plupart de ces matériaux qui leur confère une place privilégiée dans le domaine de la fine pointe de l'optolélectronique.-
dc.language.isofren_US
dc.titleEtude ab initio des propriétés electroniques et optiques du GaAsNen_US
dc.typeWorking Paperen_US
Collection(s) :Magister en Physique

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