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http://dspace1.univ-tlemcen.dz/handle/112/3602
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Élément Dublin Core | Valeur | Langue |
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dc.contributor.author | KEBIB, ABDELAZZIZ | - |
dc.date.accessioned | 2014-02-02T10:24:52Z | - |
dc.date.available | 2014-02-02T10:24:52Z | - |
dc.date.issued | 2014-02-02 | - |
dc.identifier.uri | http://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/3602 | - |
dc.description.abstract | L’évolution de la technologie CMOS actuelle a pour but de concevoir des Transistors et par conséquence des circuits intégrés dans les échelles submicronique Cette réduction d’échelle a concerné évidement les dimensions de la zone active du Transistor MOSFET. La miniaturisation s’accompagne indéniablement d’effets indésirables appelés effets canaux courts (SCE) qui viennent s’ajouter à la difficulté de la réalisation de ces dispositifs de petites dimensions. L’apparition des nouveaux procédés de fabrication notamment la photolithographie a donné naissance à de nouvelles architectures pour les transistors MOSFETs avec une orientation verticale du canal. Ce procédé a permis entre autre, un meilleur contrôle des effets canaux courts. Le travail effectué dans ce mémoire nous a permis une étude théorique et de simulation un transistor MOSFET à canal vertical. Ce travail fut réalisé par le biais du simulateur SILVACO- TCAD et nous a permis d’examiner les caractéristiques électriques d’une telle structure pour laquelle nous avons pu examiner les effets de la variation de certains de ses paramètres sur ses caractéristiques électriques | en_US |
dc.language.iso | fr | en_US |
dc.subject | Transistor MOSFET, n-MOSFET à canal vertical | en_US |
dc.subject | SILVACO-TCAD, ATLAS | en_US |
dc.title | Etude et simulations d’un transistor MOS vertical | en_US |
dc.type | Thesis | en_US |
Collection(s) : | Magister en GEE |
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Fichier | Description | Taille | Format | |
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