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dc.contributor.authorKEBIB, ABDELAZZIZ-
dc.date.accessioned2014-02-02T10:24:52Z-
dc.date.available2014-02-02T10:24:52Z-
dc.date.issued2014-02-02-
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/3602-
dc.description.abstractL’évolution de la technologie CMOS actuelle a pour but de concevoir des Transistors et par conséquence des circuits intégrés dans les échelles submicronique Cette réduction d’échelle a concerné évidement les dimensions de la zone active du Transistor MOSFET. La miniaturisation s’accompagne indéniablement d’effets indésirables appelés effets canaux courts (SCE) qui viennent s’ajouter à la difficulté de la réalisation de ces dispositifs de petites dimensions. L’apparition des nouveaux procédés de fabrication notamment la photolithographie a donné naissance à de nouvelles architectures pour les transistors MOSFETs avec une orientation verticale du canal. Ce procédé a permis entre autre, un meilleur contrôle des effets canaux courts. Le travail effectué dans ce mémoire nous a permis une étude théorique et de simulation un transistor MOSFET à canal vertical. Ce travail fut réalisé par le biais du simulateur SILVACO- TCAD et nous a permis d’examiner les caractéristiques électriques d’une telle structure pour laquelle nous avons pu examiner les effets de la variation de certains de ses paramètres sur ses caractéristiques électriquesen_US
dc.language.isofren_US
dc.subjectTransistor MOSFET, n-MOSFET à canal verticalen_US
dc.subjectSILVACO-TCAD, ATLASen_US
dc.titleEtude et simulations d’un transistor MOS verticalen_US
dc.typeThesisen_US
Collection(s) :Magister en GEE

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