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http://dspace1.univ-tlemcen.dz/handle/112/19117
Titre: | Etude de la conception d’une diode laser à base de matériau InGaN/GaN |
Auteur(s): | BENZAIM, OUSSAMA BENYAHIA, ZIAD HOUSSEM EDDINE |
Mots-clés: | Semi-conducteur III-V, diode laser bleu, recombinaison, émission stimulé méthode différence fini, GaN, InGaN, AlGaN |
Date de publication: | 29-jui-2022 |
Résumé: | Les matériaux de nitrure du groupe III fournissent une plate-forme pour des avancées spectaculaires dans l'efficacité des sources d'éclairage de diode laser à semi-conducteurs. En particulier les lasers à puits quantiques (QD). Le système utilise des matériaux InGaN/GaN qui offrent de nombreux avantages pour améliorer les performances photoniques dans la gamme de longueur d'onde bleu. Nos travaux incluent la simulation et l'optimisation de diodes laser bleu à l'aide de matériaux InGaN/GaN, un procédé d'hétérostructure récent qui promet des performances photoniques améliorées dans la gamme des longueurs d'onde bleu. La modélisation est basée sur l'étude des influences des paramètres : thermique, électriques, géométrique et optiques utilisés pour concevoir des structures diodes laser bleu performantes telles que : densité spectrale de puissance, puissance d'émission, gain, émission spontanée, courant |
URI/URL: | http://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/19117 |
Collection(s) : | Master en GEE |
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