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dc.contributor.authorBENZAIM, OUSSAMA-
dc.contributor.authorBENYAHIA, ZIAD HOUSSEM EDDINE-
dc.date.accessioned2022-10-03T09:55:25Z-
dc.date.available2022-10-03T09:55:25Z-
dc.date.issued2022-06-29-
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/19117-
dc.description.abstractLes matériaux de nitrure du groupe III fournissent une plate-forme pour des avancées spectaculaires dans l'efficacité des sources d'éclairage de diode laser à semi-conducteurs. En particulier les lasers à puits quantiques (QD). Le système utilise des matériaux InGaN/GaN qui offrent de nombreux avantages pour améliorer les performances photoniques dans la gamme de longueur d'onde bleu. Nos travaux incluent la simulation et l'optimisation de diodes laser bleu à l'aide de matériaux InGaN/GaN, un procédé d'hétérostructure récent qui promet des performances photoniques améliorées dans la gamme des longueurs d'onde bleu. La modélisation est basée sur l'étude des influences des paramètres : thermique, électriques, géométrique et optiques utilisés pour concevoir des structures diodes laser bleu performantes telles que : densité spectrale de puissance, puissance d'émission, gain, émission spontanée, couranten_US
dc.language.isofren_US
dc.subjectSemi-conducteur III-V, diode laser bleu, recombinaison, émission stimuléen_US
dc.subjectméthode différence fini, GaN, InGaN, AlGaNen_US
dc.titleEtude de la conception d’une diode laser à base de matériau InGaN/GaNen_US
dc.typeThesisen_US
Collection(s) :Master en GEE

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