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http://dspace1.univ-tlemcen.dz/handle/112/19117
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Élément Dublin Core | Valeur | Langue |
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dc.contributor.author | BENZAIM, OUSSAMA | - |
dc.contributor.author | BENYAHIA, ZIAD HOUSSEM EDDINE | - |
dc.date.accessioned | 2022-10-03T09:55:25Z | - |
dc.date.available | 2022-10-03T09:55:25Z | - |
dc.date.issued | 2022-06-29 | - |
dc.identifier.uri | http://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/19117 | - |
dc.description.abstract | Les matériaux de nitrure du groupe III fournissent une plate-forme pour des avancées spectaculaires dans l'efficacité des sources d'éclairage de diode laser à semi-conducteurs. En particulier les lasers à puits quantiques (QD). Le système utilise des matériaux InGaN/GaN qui offrent de nombreux avantages pour améliorer les performances photoniques dans la gamme de longueur d'onde bleu. Nos travaux incluent la simulation et l'optimisation de diodes laser bleu à l'aide de matériaux InGaN/GaN, un procédé d'hétérostructure récent qui promet des performances photoniques améliorées dans la gamme des longueurs d'onde bleu. La modélisation est basée sur l'étude des influences des paramètres : thermique, électriques, géométrique et optiques utilisés pour concevoir des structures diodes laser bleu performantes telles que : densité spectrale de puissance, puissance d'émission, gain, émission spontanée, courant | en_US |
dc.language.iso | fr | en_US |
dc.subject | Semi-conducteur III-V, diode laser bleu, recombinaison, émission stimulé | en_US |
dc.subject | méthode différence fini, GaN, InGaN, AlGaN | en_US |
dc.title | Etude de la conception d’une diode laser à base de matériau InGaN/GaN | en_US |
dc.type | Thesis | en_US |
Collection(s) : | Master en GEE |
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Fichier | Description | Taille | Format | |
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