Etude et simulation de la diode électroluminescente (DEL) à base de GaN

Abstract

Les sources optiques telles que les diodes électroluminescentes (LEDs) constituent de bonnes solutions pour créer des luminaires plus robustes, ayant un meilleur rendement de conversion et plus respectueuses de l’environnement. Ce projet de fin d’études est scindé en deux parties, la première partie concerne l’étude théorique et la modélisation électro-optique de la diode électroluminescente, et la seconde partie est destinée à la conception et à la simulation d’une diode électroluminescente à base des matériaux AlGaN/GaN. Il s’agit de la simulation des caractéristiques électriques et optiques de la diode électroluminescente à quatre et à cinq puits quantiques. Donc, un modèle optoélectronique est basé sur la méthode des éléments finis est élaboré pour cette diode. Ce modèle est exploité pour examiner la distribution des porteurs de charges libres dans de la région active, le taux de recombinaison radiative et la concentration en électrons et trous, les caractéristiques courant-tension et puissance-courant, le spectre d’émission de la DEL sous polarisation directe ainsi que l’impact de la température et certains paramètres technologiques sur les performances de la diode électroluminescente à cinq puits quantiques d’AlGaN/GaN.