Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : http://dspace1.univ-tlemcen.dz/handle/112/19084
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dc.contributor.authorZERROUKI, Zoulikha-
dc.date.accessioned2022-09-29T09:44:17Z-
dc.date.available2022-09-29T09:44:17Z-
dc.date.issued2022-06-30-
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/19084-
dc.description.abstractLes semi-conducteurs sont bien connus pour présenter une résistance négative, c'est-à-dire qu'ils gagnent des propriétés similaires à celles du milieu à hautes fréquences. Afin d'exploiter ces propriétés de type gain, il faut compenser une très grande impédance inductive. Dans ce travail, nous présentons une nouvelle antenne patch intégrée de type actif pour concevoir l'antenne semi-conductrice pour satellite d'application. Dans ce modèle intégré, la source active est intégrée dans une cavité diélectrique prise en sandwich entre des couches de métal doré. Le principe de conception simulé dans CST Studio est basé sur la satisfaction de la relation d'impédance auto-cohérente, ainsi que sur le rayonnement efficace du mode cavité résonante. Les configurations d'antennes actives de type proposées sont capables d'adapter l'impédance à quelques ohms près tout en obtenant le meilleur gain d'antenne.en_US
dc.language.isofren_US
dc.subjectSatellite, antenne patch, Ultra large band, Semiconducteur, CST Studio.en_US
dc.titleConception Antenne Patch àBase Semi-Conducteuren Bande KuPour Application Satelliteen_US
dc.typeThesisen_US
Collection(s) :Master en Télécommunication

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