Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document :
http://dspace1.univ-tlemcen.dz/handle/112/1507| Titre: | A coparative study between BGaN layers grown on GaN/AI2O3 and AIN/AI2O3 by MOVPE |
| Auteur(s): | BOUCHAOUR, M. ORSAL, G. OULD-ABBAS, A. MALOUFI, N. GAUTIER, S. CHABANE-SARI, N.E. OUGAZZADEN, A. |
| Mots-clés: | BGaN SEM GaN/ AI2O3 AIN/AI2O3 AFM XRD MOVPE |
| Date de publication: | 2012 |
| Résumé: | III-nitride wide band gap semiconductors ( GaN, AIN, and InN) have recently attracted considerable interest |
| URI/URL: | http://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/1507 |
| Collection(s) : | Communications internationales |
Fichier(s) constituant ce document :
| Fichier | Description | Taille | Format | |
|---|---|---|---|---|
| BOUCHAOUR.pdf | 57,69 kB | Adobe PDF | Voir/Ouvrir |
Tous les documents dans DSpace sont protégés par copyright, avec tous droits réservés.