Etude des Effets Indésirables dans les Transistors MOSFETS à Canaux Courts

Abstract

Le transistor à effet de champ MOSFET (Métal Oxyde Semiconducteur Field Effect Transistor), en tant que brique de base des circuits intégrés, est le moteur principal de l’industrie du semiconducteur. La réduction de la taille des composants ne suffit plus à garantir de meilleures performances tout en réduisant le coût de fabrication. Afin de poursuivre l’augmentation des performances des dispositifs tout en maintenant l’architecture classique des MOSFETs, plusieurs solutions ont été envisagées au cours de cette évolution. L’objectif de cette étude est de mettre en évidence par simulation les effets des canaux courts dans les transistors MOSFET dans les modèles récents de petites dimensions, et d étudier les paramètres pouvant influencer la variation de ces effets Le model visé par notre étude est le transistor BSIM3, model très répandu dans l’industrie et conçu par l’université de Californie de Berkeley. C’est pour ce model que nous mettrons en évidences certains effets canaux courts du à la diminution de la géométrie de ce dispositif. Nous nous sommes intéressées dans ce travail a l’étude d’un model de transistor a canal court de dernière génération appelée model BSIM 3, modèle très populaire et très présent actuellement dans l’industrie .Il permet d’aboutir à des simulations précises pour des technologies microniques. Pour conclure nous pouvons affirmer que ce travail nous a été très bénéfique, car il nous a permis d’utiliser un des logiciels les plus puissants et les plus utilisés dans la recherche et la simulation à travers le monde. Les résultats de simulation que nous avons obtenus permettent de mettre en évidence les effets indésirables des transistors MOSFET à canaux courts en général et le BSIM3 en particulier Nous présenterons les rappels théorique du la structure MIS et des dispositifs MOSFETs, nous présenterons le model du bsim3, model à canal court, objet de cette étude. Sera consacré à la présentation de certains effets indésirables des dispositifs MOSFET à canaux courts dus à la réduction de la taille des dispositifs. A été bien évidemment consacré à la présentation des résultats de simulation obtenus dans notre étude.