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dc.contributor.authorGHENNOU, Souad-
dc.date.accessioned2012-06-07T19:21:42Z-
dc.date.available2012-06-07T19:21:42Z-
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/996-
dc.description.abstractLa filière silicium polycristallin en couches minces suscite un intérêt majeur dans l’industrie photovoltaïque. En effet, elle constitue une alternative très prometteuse à la filière silicium monocristallin puisqu’elle permet une réduction du coût matière. Théoriquement, pour un matériau monocristallin, les perfermances obtenues soient excessivement altérées par rapport à celles d’un matériau polycristallin à cause de la présence d’impuretés et de défauts cristallographiques, tels que les dislocations et les joints de grains. Notre contribution consiste à optimiser les paramètres physiques et technologiques de deux cellules, la première est à base de silicium monocristallin et la deuxième est à base de silicium polycristallin. Aussi doit-on trouver les meilleurs perfermances de sortie ( Icc, Vco, η et FF) des deux structures et enfin faire une étude comparatives entres ces perfermances. Ces travaux sont effectués en utilisant le logiciel de simulation numérique des cellules solaires à une dimension : PC-1D.en_US
dc.language.isofren_US
dc.subjectSilicium monocristallinen_US
dc.subjectsilicium polycristallinen_US
dc.subjectcellule solaireen_US
dc.subjectparamètres physiquesen_US
dc.subjectsimulationen_US
dc.subjectPC-1Den_US
dc.titleETUDE COMPARATIVE DES PARAMETRES PHYSIQUES DES MATERIAUX PHOTOVOLTAÏQUES A BASE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN ET POLYCRISTALLINen_US
dc.typeWorking Paperen_US
Collection(s) :Magister en Physique

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