Effet du Rapport Non-Linéaire du Coefficient Diffusion-Mobilité Dans la Modélisation du Transistor MESFET GaAs

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Élément Dublin Core	Valeur	Langue
dc.contributor.author	KAMECHE, M.	-
dc.contributor.author	FEHAM, M.	-
dc.contributor.author	DJELTI, H.	-
dc.contributor.author	MELIANI, M.	-
dc.contributor.author	BENAHMED, N.	-
dc.contributor.author	DALI, S.	-
dc.date.accessioned	2012-05-24T09:39:51Z	-
dc.date.available	2012-05-24T09:39:51Z	-
dc.date.issued	2003-09-29	-
dc.identifier.uri	http://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/855	-
dc.description	Conférence Internationale sur les Systèmes de Télécommunication , d’Electronique Médicale et d’Automatique, CISTEMA’2003	-
dc.description.abstract	La plupart des simulateurs conventionnels de semi-conducteur, supposent dans la modélisation des composants électroniques que le rapport du coefficient de diffusion et de la mobilité est constant (relation linéaire). Dans ce travail, nous exposons un modèle simple de simulation des composants à effet de champ prenant en compte la dépendance du rapport diffusion-mobilité [1] et des phénomènes dynamiques [2] avec les forts champs électriques (relation nonlinéaire). Ce nouveau procédé basé sur la méthode des éléments finis (MEF) est applicable à la conception des transistors MESFET, TEGFET, SISFET. Les résultats obtenus prouvent que le courant dans le cas non linéaire est plus grand.	en_US
dc.language.iso	fr	en_US
dc.title	Effet du Rapport Non-Linéaire du Coefficient Diffusion-Mobilité Dans la Modélisation du Transistor MESFET GaAs	en_US
dc.type	Article	en_US
Collection(s) :	Articles internationaux

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Effet-du-Rapport-Non-Lineaire-du-Coefficient-Diffusion-Mobilite-Dans-la-Modelisation-du-Transistor-MESFET-GaAs.pdf		182,83 kB	Adobe PDF	Voir/Ouvrir