ETUDE AB INITIO DES PROPRIETES DE TRANSPORT DU SEMI-CONDUCTEUR MAGNETIQUE DILUE II-VI A BASE DE MANGANESE CdMnTe « Rôle des Surfaces ».

Abstract

Heterostructures of semiconductors III-V show under specific growth conditions, a StranskiKrastanow 2D-3D transition due to the combination of lattice-mismatched semiconductors. For II-VI heterostructures such as CdTe/ZnTe, this is much less obvious in spite of the dissension of mesh and a plastic transition appears with depend on the elastic transition 3D. However, by a process of growth which consists to cover the highly strained 2D CdTelayers by thin films of amorphous Tellurium will support the appearance of the small islands 3D. This is due to the fact that the surface rich in Tellurium will obtain a larger energy and thus a smaller cost in surface energy of the 3D islands facets. This can be described by an ab initio study by using the code VASP, which will consist in calculating energies of surface of CdTe according to the rates of Tellurium coverage. Résumé Les hétérostructures de semi-conducteurs III-V montrent sous des conditions de croissance bien spécifiques une transition Stranski–Krastanow 2D-3Ddue au désaccord entre les paramètres de maille des matériaux. Pour les hétérostructures II-VI telles que CdTe/ZnTe, ceci est beaucoup moins évident malgré le désaccord de maille ; une transition plastique apparaît aux dépends de la transition élastique 3D. Cependant, par un procédé de croissance, qui consiste à couvrir les couches 2D de CdTe fortement contraintes par des couches minces de tellure amorphe, va favoriser l’apparition des boites quantiques. Ceci est dû au fait que la surface riche en Tellure va voir une énergie plus grande et donc un coût en énergie de surface des facettes des îlots 3D plus petit. Ceci peut être décrit par une étude ab initio en utilisant le code VASP, qui consistera à calculer les énergies de surface du CdTe en fonction des taux de couverture en atomes de Tellure.Résumé Les hétérostructures de semi-conducteurs III-V montrent sous des conditions de croissance bien spécifiques une transition Stranski–Krastanow 2D-3Ddue au désaccord entre les paramètres de maille des matériaux. Pour les hétérostructures II-VI telles que CdTe/ZnTe, ceci est beaucoup moins évident malgré le désaccord de maille ; une transition plastique apparaît aux dépends de la transition élastique 3D. Cependant, par un procédé de croissance, qui consiste à couvrir les couches 2D de CdTe fortement contraintes par des couches minces de tellure amorphe, va favoriser l’apparition des boites quantiques. Ceci est dû au fait que la surface riche en Tellure va voir une énergie plus grande et donc un coût en énergie de surface des facettes des îlots 3D plus petit. Ceci peut être décrit par une étude ab initio en utilisant le code VASP, qui consistera à calculer les énergies de surface du CdTe en fonction des taux de couverture en atomes de Tellure.Résumé Les hétérostructures de semi-conducteurs III-V montrent sous des conditions de croissance bien spécifiques une transition Stranski–Krastanow 2D-3Ddue au désaccord entre les paramètres de maille des matériaux. Pour les hétérostructures II-VI telles que CdTe/ZnTe, ceci est beaucoup moins évident malgré le désaccord de maille ; une transition plastique apparaît aux dépends de la transition élastique 3D. Cependant, par un procédé de croissance, qui consiste à couvrir les couches 2D de CdTe fortement contraintes par des couches minces de tellure amorphe, va favoriser l’apparition des boites quantiques. Ceci est dû au fait que la surface riche en Tellure va voir une énergie plus grande et donc un coût en énergie de surface des facettes des îlots 3D plus petit. Ceci peut être décrit par une étude ab initio en utilisant le code VASP, qui consistera à calculer les énergies de surface du CdTe en fonction des taux de couverture en atomes de Tellure.