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http://dspace1.univ-tlemcen.dz/handle/112/5139
Titre: | Etude ab initio des propriétés structurales et électroniques des semi-conducteurs III-V à base de Phosphore (AlP,lnP) |
Auteur(s): | Ghefir, Sofiane Abdelkader |
Mots-clés: | Ab intio, (FP-LAPW+lo), GGA, GGA-PBE, GGA-EV code WIEN2K , semi-conducteur III- V lnP et AlP |
Date de publication: | 2013 |
Résumé: | Dans ce projet, nous nous sommes intéressées par à l’étude théorique du lnP et AlP en utilisant des méthodes ab inition pour étudier les propriétés structurales et électroniques en utilisant la méthode des ondes planes augmentées linéarisées à potontiel total plus orbitales locales (FP-LAPW+lo), l’énergie de d’échange-corrélation est décrite dans l’approximation du gradient généralisé (GGA) en utilisant le code WIEN2K. En premier abord, nous avons repris les propriétés physiques des semi-conducteurs III-V lnP et AlP Aussi, nous avons étudies les propriétés structurales et électroniques avec des Approximation GGA-PBE et GGA-EV en les comparant avec les résultats théoriques. |
URI/URL: | http://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/5139 |
Collection(s) : | Magister en Electronique |
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