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Élément Dublin CoreValeurLangue
dc.contributor.authorArras, Aida-
dc.date.accessioned2025-02-10T11:20:26Z-
dc.date.available2025-02-10T11:20:26Z-
dc.date.issued2018-06-25-
dc.identifier.urihttp://dspace1.univ-tlemcen.dz/handle/112/24599-
dc.description.abstractDans ce travail nous avons présenté une étude théorique et simulation des cellules solaire à hétérojonction de silicium. Nous avons simulé, à l’aide de logiciel Afors-Het, deux cellules photovoltaïques à hétérojonction de silicium avec les structures a-Si(p)/c-Si(n) et a-Si(n)/c-Si(p) où on a déterminé l’influence de certaine paramètres (épaisseur, concentration de dopage de chaque couche et l’énergie de gap de silicium amorphe) sur les performances de ces cellules : tension de circuit ouvert VOC, densité de courant de court-circuit JSC, facteur de forme FF et le rendement η. Comme un résultat de notre simulation, nous avons obtenu les performances suivantes : Voc=710 mV, JSC=44,95 mA/cm2, FF=82,61% et η=26,37% pour la cellule a-Si(n)/a-Si(i)/c-Si(p)/a-Si(p).en_US
dc.language.isofren_US
dc.publisherUniversity of tlemcenen_US
dc.relation.ispartofseries800 Master Phys;-
dc.subjectune étude théorique,des cellules solaire à hétérojonction de silicium,logiciel Afors-Het,cellules photovoltaïques,hétérojonction de silicium,les structures a-Si(p)/c-Si(n) et a-Si(n)/c-Si(p),épaisseur, concentration de dopage de chaque couche et l’énergie de gap de silicium amorphe,en_US
dc.titleCaractérisation des cellules photovoltaïques à base d’hétérojonction de silicium a-Si/c-Sien_US
dc.typeThesisen_US
Collection(s) :Master en Physique

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Caracterisation_des_cellules_photovoltaïques_a_base_d_heterojonction_de_silicium_a_Si_c_Si.pdf1,67 MBAdobe PDFVoir/Ouvrir


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