Etude et simulation d’une diode laser à semi-conducteur

Abstract

L’objectif de ce travail est l’étude des diodes lasers à base des semi-conducteurs III-V, on a présenté les propriétés des matériaux qui les constituent, leurs principes de fonctionnement et leurs différentes applications. Deux structures à double hétérojonctions de même dimensions ont été choisi : la première à base des matériaux ternaires AlGaAs/GaAs ; la deuxième à base des matériaux quaternaires InGaAsP/InP. La simulation par le simulateur Silvaco Atlas des structures étudiées a permis de montré l’influence de quelques paramètres (la température, la fraction molaire, la langueur de la cavité, le dopage et l’épaisseur de la région active sur les caractéristiques électriques et optiques des diodes lasers étudiées.