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Élément Dublin CoreValeurLangue
dc.contributor.authorBENASID, Nadera-
dc.date.accessioned2022-04-10T08:27:36Z-
dc.date.available2022-04-10T08:27:36Z-
dc.date.issued2021-07-12-
dc.identifier.citationsalle des thèsesen_US
dc.identifier.otherCD-
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/18448-
dc.description.abstractIn this work, we studied n-type and p-type crystalline silicon c-Si solar cells with and without a porous silicon layer by numerical simulation via the SCAPS-1D calculation program created by Marc Burgelman, 6 models were studied characteristics such as ICC, VOC, FF, and the η were calculated. Concluded that the use of the PSi treatment in PV cells leads to the increase in quantum efficiency and increases the efficiency of the solar cell compared to a cell without a PSi layer. We also investigated the addition of a BSF layer which also increases the yield.en_US
dc.description.sponsorshipDans ce travail, nous avons étudié des cellules solaires à base silicium cristallin c-Si de type n et de type p avec et sans couche de silicium poreux par la simulation numérique via le programme de calcul SCAPS-1D créé à travers Marc Burgelman, 6 modèles ont été étudiées caractéristiques tels que ICC, VOC, FF, et le η ont été calculées. Ont conclu que l’utilisation du traitement PSi dans les cellules PV amène à l’élévation du rendement quantique et augmente l’efficacité de la cellule solaire par rapport à une cellule sans couche de PSi. Nous avons aussi étudié l’ajout d’une couche BSF qui augmente aussi le rendementen_US
dc.language.isofren_US
dc.publisher10-04-2022en_US
dc.relation.ispartofseriesson.for.p.;-
dc.subjectPhotovoltaic solar cell; Porous silicon PSi; crystalline silicon c-Si; SCAPS-1D; internal quantum efficiency.en_US
dc.subjectCellule solaire photovoltaïque ; Silicium Poreux; Silicium cristallin ; SCAPS-1D ; Rendement quantique interne.en_US
dc.titleLe Silicium Poreux et son rôle dans L’amélioration des performances des cellules photovoltaïques.en_US
dc.typeThesisen_US
Collection(s) :Master en Physique

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