Contribution à la modélisation et simulation numérique des composants à base de matériaux III.V : Application à un HEMT sur substrat InP

Abstract

Ce travail a consisté à faire l'étude par le biais de la simulation d' un transistor à effet de champ à haute mobilité soit un HEMT à base de matériau III.V. Cette étude a été effectuée afin de déterminer les performances statiques et dynamique de ce type de dispositif. Nous nous sommes intéréssés dans ce travail à l'étude d'une structure HEMT InAlAs/InGaAs sur substrat InP unissant de bonnes caractéristiques statiques et dynamiques en même temps. Ce type de composants sont généralement utilisés dans les systèmes numériques à haut débit, dans les systèmes analogiques , systèmes à faible bruit et ceux à basse consommation. Les résultats que nous avons obtenus et présentés dans ce travail sont assez encourageants aussi bien en mode DC qu'en mode AC , et permettant de constater que ce type de dispositif peut être utilisé pour des applications dans les communications à haute vitesse par exemple.