SIMULATION ET MODELISATION DES COMMUTATEURS RF A BASE DE COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS

Abstract

Ces dernières années, les systèmes de communication par satellite utilisant des schémas de modulation numérique, une capacité de canal importante, une puissance d'émission élevée et une sensibilité de récepteur extrêmement faible ont remis en question la linéarité des composants passifs. Même les produits d’intermodulation à très faible niveau générés par des commutateurs peuvent sérieusement dégrader l'efficacité d'un système. Un commutateur hyperfréquence de haute qualité est un élément clé d'un émetteur radiofréquence. Il est bien connu que si les amplificateurs d'émetteur et les fonctions de commutation auxiliaires ne sont pas extrêmement linéaires, la conversion de modulation d'amplitude (AM) vers AM et de modulation AM vers PM peut entraîner une sérieuse détérioration du taux d'erreur binaire (BER) et une augmentation de l'interférence inter-symbole (ISI). La détérioration des performances de la liaison de communication est principalement liée aux effets de bruit non linéaire dans les sections RF des systèmes émetteurs et récepteurs. Les effets de ces sources de bruit ou d'interférence sont augmentés par le comportement non linéaire de l'amplificateur de puissance RF de l'émetteur et du commutateur d'émission. Le comportement non linéaire des transistors MESFET ou HEMT utilisés dans un mode de commande entraînera l'introduction de signaux indésirables dans le circuit, créant des produits d'harmonique ou d'intermodulation pouvant nuire aux performances du système. Au cours des dernières années, plusieurs groupes ont concentré leurs efforts sur la modélisation de petits et de grands signaux des dispositifs de contrôle HEMT. La modélisation des propriétés de distorsion et de puissances utilisant les nouvelles technologies a reçu peu d'attention. Dans cette thèse, en plus de la comparaison des performances pour les fonctions de contrôle dans les circuits haute fréquence, en particulier pour les applications de forte consommation en puissance, les caractéristiques en puissance et de distorsion non linéaire des commutateurs basés sur les nouvelles technologies seront étudiées.