Étude, modélisation et simulation des Transistors HEMT à base de l’InAlAs/InGaAs/InAsP

Abstract

Dans cette thèse, nous avons étudié les propriétés de transport électronique de l’InAs0.3P0.7 par la Méthode de Monte-Carlo. Ces caractéristiques avantageuses nous ont permis de concevoir par simulation des dispositifs HEMTs de hautes performances. Les résultats obtenus montrent que l’utilisation de ce matériau comme substrat contribue à l’amélioration des performances du dispositif. Ces améliorations sont dues à la diminution de la résistance Source produite par l’augmentation de la concentration des trous accumulés sous la source et qui proviennent du substrat. D’autre part, les performances en mode MAC et DC des HET dépendent des propriétés énergétiques du substrat qui est directement lié à la résistance de la Source. L’étude de la dépendance des performances des HEMT en fonction de la description énergétique du substrat a été effectuée conjointement par une étude de la modulation de la résistance Source en fonction des énergies du substrat. Plusieurs structures des HEMTs ont été étudiées elle utilise l’InAs0.3P0.7 pour la formation d’un canal composite, cela conduit a l’augmentation des performances du dispositif. Les HEMTs qui introduisent une diode de blocage à base de l’InAs0.3P0.7 (P) / l’InAs0.3P0.7 (N++) au niveau de la couche Buffer présentent ainsi de meilleurs performances.