Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : http://dspace1.univ-tlemcen.dz/handle/112/13248
Affichage complet
Élément Dublin CoreValeurLangue
dc.contributor.authorKARAOUZENE, Lotfi Ibrahim-
dc.date.accessioned2018-10-17T12:51:43Z-
dc.date.available2018-10-17T12:51:43Z-
dc.date.issued2018-07-02-
dc.identifier.citationsalles des thèsesen_US
dc.identifier.otherDOC-531.6-
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/13248-
dc.description.abstractNous étudions et analysons, dans cette thèse, les propriétés structurales, électroniques, de liaison et optiques de trois super réseaux à base d’azote. Le cadre de calcul suit celui de la méthode des ondes planes augmentées linéarisées à potentiel total (FPLAPW). En utilisant le potentiel d'échange de Becke-Johnson (mBJ), nous avons prédit une bande interdite en accord avec l'expérience. Les propriétés de liaison sont également analysées avec des domaines de localisation électronique. Comme une découverte intéressante, nous montrons que la relaxation des structures et les interactions faibles dans la structure en couches affectent fortement les valeurs du gap énergétique. Ces résultats sont supportés par une analyse approfondie en termes de réseau de liaison analysé avec un indice d'interaction non covalent. En outre, la fonction diélectrique complexe calculée et le coefficient d'absorption de nos super réseaux ouvrent une nouvelle voie pour construire des dispositifs dans le domaine optoélectronique.en_US
dc.language.isofren_US
dc.publisher17-10-2018en_US
dc.subjectab initio, super réseau, structure de bande, propriétés de liaison, propriétés optiques, relaxation structurale, LAPW.en_US
dc.subjectab initio, superlattice, band structure, bonding properties, optical properties, structural relaxation, LAPW.en_US
dc.titleEtude ab initio des Propriétés Physiques des Semiconducteurs à Base de Nitrure à Hétérointerfaces.en_US
dc.typeThesisen_US
Collection(s) :Doctorat classique en Physique

Fichier(s) constituant ce document :
Fichier Description TailleFormat 
Etude-ab-initio-des-Proprietes-Physiques-des-Semiconducteurs-a-Base-de-Nitrure-a-Heterointerfaces.pdfCD10,03 MBAdobe PDFVoir/Ouvrir


Tous les documents dans DSpace sont protégés par copyright, avec tous droits réservés.