Veuillez utiliser cette adresse pour citer ce document : http://dspace1.univ-tlemcen.dz/handle/112/13143
Affichage complet
Élément Dublin CoreValeurLangue
dc.contributor.authorBOUFATAH, Réda Mohammed-
dc.date.accessioned2018-10-09T08:59:44Z-
dc.date.available2018-10-09T08:59:44Z-
dc.date.issued2018-06-15-
dc.identifier.citationsalles des thèsesen_US
dc.identifier.otherDOC-530-
dc.identifier.urihttp://dspace.univ-tlemcen.dz/handle/112/13143-
dc.description.abstractNous avons étudié les propriétés structurales et électroniques de la structure hypothétique cubique (GaN)1/(ZnO)1 en super-réseau. La stabilité de la structure est vérifiée par les propriétés élastiques et la comparaison de l'énergie totale avec sa phase stable wurtzite. L'énergie de gap calculée est légèrement indirecte et inférieure à celle des binaires parents GaN et ZnO. Ceci indique un fort paramètre de courbure. Nous avons constaté que l'origine de cette diminution est attribuée à la répulsion p-d de la liaison Zn-N et de la présence de l'électron p de l'oxygène. Nous espérons que nos résultats prédictifs de la phase zinc blende du (GaN)1/(ZnO)1 puissent servir comme référence pour les futurs travaux de recherche aussi bien théoriques qu’expérimentaux sur les matériaux non-isovalents.en_US
dc.language.isofren_US
dc.publisher09-10-2018en_US
dc.subjectDFT, FP-LAPW, GaNZnO, non-isovalent, Stabilité, Propriétés électroniques.en_US
dc.subjectDFT, FP-LAPW, GaNZnO, non-isovalent, Stability, Electronic Properties.en_US
dc.titleEtude Ab Initio des Propriétés Structurales, Élastiques et Électroniques de l’Oxydo-Nitride GaZnNO.en_US
dc.typeThesisen_US
Collection(s) :Doctorat LMD en en Physique

Fichier(s) constituant ce document :
Fichier Description TailleFormat 
Etude-Ab-Initio-des-Proprietes-Structurales.pdf9,66 MBAdobe PDFVoir/Ouvrir


Tous les documents dans DSpace sont protégés par copyright, avec tous droits réservés.