Caractérisation du phénomène de transport électronique dans les matériaux composés ternaires : Application au matériau GaxIn1-xSb

Abstract

Le développement qu’a connu le domaine de la micro-électronique est dû en grande partie aux évolutions techniques et en particulier à la miniaturisation des dispositifs semi-conducteurs, mais aussi à l’utilisation de nouveaux matériaux tel que les matériaux composés III-V pour les applications dans l’optoélectronique et l’électronique de puissance. Dans le but d’étudier les caractérisations du phénomène du transport électronique dans les matériaux composés ternaires et plus précisément dans le matériau GaxIn1-xSb, on a utilisé la simulation numérique basée sur les méthodes de Monte Carlo. Ce modèle consiste à simuler le comportement des électrons dans les semi-conducteurs qui se fait en deux étapes successives ; le libre parcours moyen et les collisions avec le réseau, et de tirer par la suite les fonctions de distribution des électrons de la bande de conduction qui sont similaires à ceux trouvés par la résolution de l’équation de Boltzmann. Pour cela, on a employé un modèle qui tient compte que de trois vallées isotropes et non paraboliques de la bande de conduction , L, et X. Les résultats obtenus sont satisfaisants après leurs comparaisons avec d’autres résultats expérimentaux existant dans la littérature. Ils nous renseignent sur la dynamique électronique ainsi que le comportement dans les hauts champs électriques et hautes températures de ce matériau.