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Date de publicationTitreAuteur(s)
fév-2012AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors (HFETs) Model Including Impact Ionization RatesSayah, C; Bouazza, B; Guen Bouazza, A; Chabane Saria, N E
29-sep-2003Analyse du Phénomène de Transport Electronique dans l’InAs et le GaAs par la méthode de Monte Carlo pour la conception d’un transistor PHEMTAmer, L; Sayah, C; Bouazza, B; Guen Bouazza, A; Chabane Sari, NE; Gontrand, C
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