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Depot institutionnel de l'Universite Abou Bekr Belkaid Tlemcen UABT
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Date de publication
Titre
Auteur(s)
11-avr-2019
Simulation et contribution à l’amélioration de la structure d’un DHFET à base de matériaux binaires-ternaires innovants (B,Ga,Al,In)N.
BELARBI, Abdelmalik
2014
Transistor DHFET à base d’InGaN : Simulation et optimisation de ses performances DC et RF par le logiciel Silvaco
BELARBI, Abdelmalik
